Pobierz fragment

Półprzewodniki. Nowoczesne rozwiązania w układach scalonych - ebook

Chenming Calvin Hu

Wydawnictwo:

Helion

Tłumacz:

Konrad Matuk

Data wydania:

17 kwietnia 2016

Format ebooka:

PDF

czytaj

na laptopie

czytaj

na tablecie

Format e-booków, który możesz odczytywać na tablecie oraz laptopie. Pliki PDF są odczytywane również przez czytniki i smartfony, jednakze względu na komfort czytania i brak możliwości skalowania czcionki, czytanie plików PDF na tych urządzeniach może być męczące dla oczu. Więcej informacji znajdziesz w dziale Pomoc.

czytaj

na laptopie

Pliki PDF zabezpieczone watermarkiem możesz odczytać na dowolnym laptopie po zainstalowaniu czytnika dokumentów PDF. Najpowszechniejszym programem, który umożliwi odczytanie pliku PDF na laptopie, jest Adobe Reader. W zależności od potrzeb, możesz zainstalować również inny program - e-booki PDF pod względem sposobu odczytywania nie różnią niczym od powszechnie stosowanych dokumentów PDF, które odczytujemy każdego dnia.

Informacje na temat zabezpieczenia e-booka znajdziesz na karcie produktu w "Szczegółach na temat e-booka". Więcej informacji znajdziesz w dziale Pomoc.

czytaj

na tablecie

Aby odczytywać e-booki na swoim tablecie musisz zainstalować specjalną aplikację. W zależności od formatu e-booka oraz systemu operacyjnego, który jest zainstalowany na Twoim urządzeniu może to być np. Bluefire dla EPUBa lub aplikacja Kindle dla formatu MOBI.

Informacje na temat zabezpieczenia e-booka znajdziesz na karcie produktu w "Szczegółach na temat e-booka". Więcej informacji znajdziesz w dziale Pomoc.

Pobierz fragment

Półprzewodniki. Nowoczesne rozwiązania w układach scalonych - ebook

Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej, okazuje się niezwykle istotne dla osób zajmujących się zawodowo informatyką oraz niektórymi dziedzinami techniki, zwłaszcza półprzewodnikami, projektowaniem układów scalonych, systemami mikroelektromechanicznymi, optyką, nanotechnologią i materiałoznawstwem.

Książka ta jest kierowana przede wszystkim do studentów studiów technicznych, ale mogą z niej korzystać również studenci studiów doktoranckich, a także inżynierowie i naukowcy. Będzie szczególnie doceniona przez praktyków zajmujących się projektowaniem i funkcjonowaniem nowoczesnych urządzeń elektronicznych. Książka zawiera przydatne informacje dotyczące tranzystorów i ich zastosowania w projektowaniu obwodów. Przedstawiono tu dogłębną analizę zagadnień związanych z podstawowymi komponentami układów elektronicznych. Przybliżono zasady działania takich urządzeń, jak ogniwa fotowoltaiczne, diody LED, diody laserowe itp.

W książce tej przedstawiono:

wyczerpujące wprowadzenie do zagadnień związanych z półprzewodnikami z uwzględnieniem rekombinacji elektronów i dziur elektronowych;
technologię produkcji komponentów półprzewodnikowych;
złącza p-n i złącza metal-półprzewodnik;
informacje o tranzystorach MOS, w tym o matrycach CCD i CMOS;
tranzystory MOFSET, pamięci SRAM i DRAM oraz pamięć nieulotną flash;
tranzystory bipolarne.

Nowoczesnej elektroniki należy uczyć się od najlepszych!

Spis treści

Przedmowa (11)

O autorze (13)

1. Półprzewodniki: elektrony i dziury w półprzewodnikach (15)

1.1. Krystaliczna struktura krzemu (16)
1.2. Model wiązań elektronów i dziur (18)
1.3. Energetyczny model pasmowy (22)
1.4. Półprzewodniki, izolatory i przewodniki (27)
1.5. Elektrony i dziury (29)
1.6. Gęstość stanów (32)
1.7. Równowaga cieplna i funkcja Fermiego (33)
1.8. Koncentracje elektronów i dziur (37)
1.9. Ogólne zagadnienia dotyczące parametrów n i p (43)
1.10. Koncentracje nośników w bardzo niskich i bardzo wysokich temperaturach (47)
1.11. Podsumowanie rozdziału (47)
Zadania (49)
Bibliografia (54)
Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (55)

2. Ruch i rekombinacja elektronów i dziur (57)

2.1. Ruch cieplny (57)
2.2. Dryft (60)
2.3. Prąd dyfuzyjny (69)
2.4. Zależność pomiędzy wykresem poziomów energetycznych a napięciem i polem elektrycznym (71)
2.5. Zależność Einsteina pomiędzy D i ( (71)
2.6. Rekombinacja elektron-dziura (74)
2.7. Generacja termiczna (77)
2.8. Quasi-równowaga i poziomy quasi-Fermiego (77)
2.9. Podsumowanie rozdziału (79)
Zadania (81)
Bibliografia (84)
Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (84)

3. Technologia produkcji komponentów półprzewodnikowych (85)

3.1. Wstęp do produkcji komponentów (86)
3.2. Utlenianie krzemu (88)
3.3. Litografia (89)
3.4. Transfer wzorów - trawienie (96)
3.5. Domieszkowanie półprzewodnika (99)
3.6. Dyfuzja domieszek (101)
3.7. Osadzanie cienkich warstw (105)
3.8. Proces tworzenia złączy pomiędzy komponentami (110)
3.9. Testowanie, montaż i kwalifikacja (113)
3.10. Podsumowanie rozdziału - przykładowy proces produkcji komponentu (114)
Zadania (116)
Bibliografia (120)
Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (121)

4. Złącze p-n i złącze metal-półprzewodnik (123)

Część I. Złącze p-n (123)

4.1. Zagadnienia teoretyczne związane ze złączem p-n (124)
4.2. Model warstwy zubożonej (128)
4.3. Złącze p-n i polaryzacja zaporowa (133)
4.4. Charakterystyki pojemnościowo-napięciowe (134)
4.5. Przebicie złącza p-n (136)
4.6. Iniekcja nośników w polaryzacji przewodzenia i warunkach quasi-równowagi brzegowej (141)
4.7. Równanie ciągłości prądu (144)
4.8. Nośniki nadmiarowe w złączu p-n w polaryzacji przewodzenia (146)
4.9. Charakterystyki prądowo-napięciowe diody półprzewodnikowej (150)
4.10. Magazynowanie ładunku (154)
4.11. Małosygnałowy model diody (155)

Część II. Zastosowanie w komponentach optoelektronicznych (156)

4.12. Ogniwa fotowoltaiczne (156)
4.13. Diody elektroluminescencyjne i oświetlenie półprzewodnikowe (164)
4.14. Diody laserowe (170)
4.15. Fotodiody (175)

Część III. Złącze metal-półprzewodnik (176)

4.16. Bariera Schottky'ego (176)
4.17. Teoria emisji termoelektronowej (181)
4.18. Diody Schottky'ego (182)
4.19. Zastosowanie diod Schottky'ego (184)
4.20. Tunelowanie kwantowo-mechaniczne (186)
4.21. Kontakt omowy (186)
4.22. Podsumowanie rozdziału (190)
Zadania (194)
Bibliografia (204)
Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (205)

5. Kondensator MOS (207)

5.1. Warunek i napięcie pasma płaskiego (208)
5.2. Akumulacja powierzchniowa (210)
5.3. Zubożenie powierzchni (212)
5.4. Warunek progowy i napięcie progowe (213)
5.5. Silna inwersja poza warunkami progowymi (216)
5.6. Charakterystyki pojemnościowo-napięciowe kondensatora MOS (220)
5.7. Ładunek tlenku - wpływ na U_fb i U_t (225)
5.8. Zubożenie bramki wykonanej z krzemu polikrystalicznego spowodowane wzrostem T_ox 228
5.9. Grubość i efekt kwantowo-mechaniczny warstw inwersji i akumulacji (230)
5.10. Matryca CCD i CMOS (233)
5.11. Podsumowanie rozdziału (240)
Zadania (243)
Bibliografia (252)
Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (252)

6. Tranzystor MOS (253)

6.1. Tranzystory MOSFET - wprowadzenie (253)
6.2. Struktura komplementarna MOS (technologia CMOS) (254)
6.3. Ruchliwości powierzchniowe i układy FET charakteryzujące się dużą mobilnością (260)
6.4. Napięcie U_t, efekt podłoża i domieszkowanie tranzystora MOSFET (267)
6.5. Parametr Q_inw charakteryzujący tranzystory MOSFET (271)
6.6. Podstawowy model prądowo-napięciowy tranzystora MOSFET (272)
6.7. Przykładowy układ: inwerter CMOS (276)
6.8. Nasycenie prędkości (282)
6.9. Model prądowo-napięciowy tranzystora MOSFET uwzględniający nasycenie prędkości (284)
6.10. Pasożytnicza rezystancja źródło-dren (289)
6.11. Wyciąganie rezystancji szeregowej i efektywnej długości kanału (290)
6.12. Przerost prędkości i limit prędkości źródła (293)
6.13. Konduktancja wyjściowa (295)
6.14. Wydajność przy wysokich częstotliwościach (296)
6.15. Zakłócenia tranzystorów MOSFET (299)
6.16. SRAM, DRAM i kości pamięci nieulotnej flash (305)
6.17. Podsumowanie rozdziału (314)
Zadania (318)
Bibliografia (330)
Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (331)

7. Tranzystory MOSFET w układach scalonych - zmiana skali, prąd upływu i inne zagadnienia (333)

7.1. Zmiana skali technologii - zmniejszenie kosztów produkcji, wzrost szybkości, zmniejszenie poboru prądu (334)
7.2. Prąd podprogowy - "wyłączony" nie oznacza "zupełnie wyłączony" (338)
7.3. Spadek wzmocnienia napięcia U_t - tranzystory MOSFET o krótkich kanałach charakteryzują się większym prądem upływu (342)
7.4. Redukcja grubości elektrycznej izolacji bramki i upływ tunelowy (347)
7.5. Redukcja parametru W_zub (349)
7.6. Płytkie złącze i tranzystory MOSFET z metalowymi źródłami i drenami (352)
7.7. Kompromis pomiędzy I_wł i I_wył a opracowywanie projektu pod kątem możliwości produkcji (354)
7.8. Tranzystory MOSFET o bardzo cienkich korpusach i wielu bramkach (357)
7.9. Konduktancja wyjściowa (362)
7.10. Symulacja procesów i komponentów (364)
7.11. Kompaktowy model tranzystora MOSFET używany w symulacji pracy obwodu (365)
7.12. Podsumowanie rozdziału (366)
Zadania (368)
Bibliografia (371)
Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (372)

8. Tranzystor bipolarny (373)

8.1. Wprowadzenie do tranzystorów BJT (374)
8.2. Prąd kolektora (376)
8.3. Prąd bazy (380)
8.4. Wzmocnienie prądowe (381)
8.5. Modulacja szerokości bazy napięciem kolektora (386)
8.6. Model Ebersa-Molla (389)
8.7. Czas opadania i magazynowanie ładunku (392)
8.8. Model małosygnałowy (396)
8.9. Częstotliwość graniczna (399)
8.10. Model sterowany prądem (400)
8.11. Model do wielkosygnałowej symulacji pracy obwodu (404)
8.12. Podsumowanie rozdziału (406)
Zadania (408)
Bibliografia (414)
Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (414)

Dodatek A

Wyprowadzenie wzorów na gęstość stanów (415)

Dodatek B

Wyprowadzenie funkcji rozkładu Fermiego-Diraca (419)

Dodatek C

Samouzgodnienie założeń dotyczących nośników mniejszościowych (423)
Odpowiedzi do wybranych zadań (427)

Skorowidz (433)

Kategoria:	Hardware
Język:	Polski
Zabezpieczenie:	Watermark Watermark Watermarkowanie polega na znakowaniu plików wewnątrz treści, dzięki czemu możliwe jest rozpoznanie unikatowej licencji transakcyjnej Użytkownika. E-książki zabezpieczone watermarkiem można odczytywać na wszystkich urządzeniach odtwarzających wybrany format (czytniki, tablety, smartfony). Nie ma również ograniczeń liczby licencji oraz istnieje możliwość swobodnego przenoszenia plików między urządzeniami. Pliki z watermarkiem są kompatybilne z popularnymi programami do odczytywania ebooków, jak np. Calibre oraz aplikacjami na urządzenia mobilne na takie platformy jak iOS oraz Android.
ISBN:	978-83-283-2093-2
Rozmiar pliku:	11 MB
Użytkowanie:	w granicach licencji Informacje na temat użytkowania Kopia przeznaczona jest wyłącznie do własnego użytku osobistego w granicach udzielonej licencji. Wszelkie prawa są zastrzeżone chyba, że właściciel praw autorskich udzieli wyraźnej licencji. Z wyjątkiem sytuacji dopuszczalnych przez prawo lub uzyskania zgody uprawnionego z tytułu praw autorskich, jakiekolwiek powielanie, montaż, wyświetlanie, wypożyczanie, publiczne pokazy czy inne rozpowszechnianie zawartości tej kopii lub jej fragmentów czy części jest bezwzględnie zabronione. Niniejsza kopia nie może być przedmiotem odsprzedaży czy dystrybucji i sprzedaży handlowej bez uzyskania odpowiedniej licencji udzielonej przez Virtualo sp. z o.o.
Drukowanie:	w granicach licencji Informacje na temat użytkowania Kopia przeznaczona jest wyłącznie do własnego użytku osobistego w granicach udzielonej licencji. Wszelkie prawa są zastrzeżone chyba, że właściciel praw autorskich udzieli wyraźnej licencji. Z wyjątkiem sytuacji dopuszczalnych przez prawo lub uzyskania zgody uprawnionego z tytułu praw autorskich, jakiekolwiek powielanie, montaż, wyświetlanie, wypożyczanie, publiczne pokazy czy inne rozpowszechnianie zawartości tej kopii lub jej fragmentów czy części jest bezwzględnie zabronione. Niniejsza kopia nie może być przedmiotem odsprzedaży czy dystrybucji i sprzedaży handlowej bez uzyskania odpowiedniej licencji udzielonej przez Virtualo sp. z o.o.
Kopiowanie:	w granicach licencji Informacje na temat użytkowania Kopia przeznaczona jest wyłącznie do własnego użytku osobistego w granicach udzielonej licencji. Wszelkie prawa są zastrzeżone chyba, że właściciel praw autorskich udzieli wyraźnej licencji. Z wyjątkiem sytuacji dopuszczalnych przez prawo lub uzyskania zgody uprawnionego z tytułu praw autorskich, jakiekolwiek powielanie, montaż, wyświetlanie, wypożyczanie, publiczne pokazy czy inne rozpowszechnianie zawartości tej kopii lub jej fragmentów czy części jest bezwzględnie zabronione. Niniejsza kopia nie może być przedmiotem odsprzedaży czy dystrybucji i sprzedaży handlowej bez uzyskania odpowiedniej licencji udzielonej przez Virtualo sp. z o.o.

Półprzewodniki. Nowoczesne rozwiązania w układach scalonych - ebook

Nowoczesnej elektroniki należy uczyć się od najlepszych!

Spis treści

BESTSELLERY